5 月 9 日消息，韓媒 Sedaily 援引行業(yè)消息人士的話稱，三星電子近日決定組建 1dnm DRAM 內(nèi)存的技術(shù)開發(fā)團(tuán)隊(duì)。
目前 DRAM 內(nèi)存行業(yè)的最新制程是 10+ nm 系列的第五代工藝，即 1bnm；
三大內(nèi)存廠商 —— 三星電子、SK 海力士和美光的下一代 DRAM 工藝 1cnm 將于今年三季度至明年投入量產(chǎn)；
而 1dnm 工藝又在 1cnm 之后，預(yù)計(jì)量產(chǎn)時(shí)間晚于 2026 年。
三星電子在開發(fā)每代 DRAM 工藝時(shí)，一般直到接近量產(chǎn)時(shí)的 PA（IT之家注：Process Architecture，工藝架構(gòu)）階段才會(huì)組建包含半導(dǎo)體和工藝工程師的綜合團(tuán)隊(duì)。
而在 1dnm 節(jié)點(diǎn)上，團(tuán)隊(duì)召集時(shí)間提早了 1~2 年，目前該團(tuán)隊(duì)的規(guī)模在數(shù)百人左右。
相較于目前的制程，1dnm 工藝將提升 EUV 光刻的用量，難度隨之加大。三星電子提前組建 1dnm DRAM 技術(shù)開發(fā)團(tuán)隊(duì)旨在加速量產(chǎn)準(zhǔn)備過程，縮短工藝優(yōu)化周期。
自 2020 年來，三星電子難以在 DRAM 內(nèi)存技術(shù)上維持領(lǐng)先：
1anm 節(jié)點(diǎn)上，美光率先量產(chǎn)；來到 1bnm，三家量產(chǎn)時(shí)間大致相當(dāng)；而在即將到來的 1cnm 節(jié)點(diǎn)，SK 海力士有望取得領(lǐng)先。
而在產(chǎn)品端，由于此前解散 HBM 內(nèi)存研發(fā)團(tuán)隊(duì)的錯(cuò)誤決定，三星電子目前在 HBM3 (E) 內(nèi)存的競(jìng)爭(zhēng)中也處于落后地位。
三星電子希望通過提前加大在 1dnm DRAM 開發(fā)上的人力資源投入，止住目前的頹勢(shì)，重新建立起內(nèi)存技術(shù)優(yōu)勢(shì)，并通過 DRAM 的技術(shù)升級(jí)推動(dòng) HBM 業(yè)務(wù)發(fā)展